Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle in VLSI-Herstellung Formeln

Die Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle ist definiert als die Kapazität zwischen der Verbindung des Körpers und der Source-Verbindung des MOSFET. Und wird durch C_jbs gekennzeichnet. Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle wird normalerweise mit Mikrofarad pro Quadratmillimeter für Oxidkapazität pro Flächeneinheit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle immer positiv ist.

VLSI-Herstellung-Formeln, die Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle verwenden

fxParasitäre Gesamtkapazitätsquellege

FAQ

Was ist der Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle?

Die Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle ist definiert als die Kapazität zwischen der Verbindung des Körpers und der Source-Verbindung des MOSFET. Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle wird normalerweise mit Mikrofarad pro Quadratmillimeter für Oxidkapazität pro Flächeneinheit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle immer positiv ist.

Kann Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle negativ sein?

NEIN, der in Oxidkapazität pro Flächeneinheit gemessene Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle verwendet?

Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle wird normalerweise mit Mikrofarad pro Quadratmillimeter[μF/mm²] für Oxidkapazität pro Flächeneinheit gemessen. Farad pro Quadratmeter[μF/mm²], Nanofarad pro Quadratzentimeter[μF/mm²], Mikrofarad pro Quadratzentimeter[μF/mm²] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Kapazität zwischen der Verbindung von Körper und Quelle gemessen werden kann.

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