Intrinsisches Abstandsverhältnis in Siliziumgesteuerter Gleichrichter Formeln

Das intrinsische Abstandsverhältnis UJT als Oszillator ist definiert als das Verhältnis des Widerstands von Emitter-Basis 1 zu den Gesamtwiderständen der Emitter-Basis-Übergänge. Und wird durch η gekennzeichnet.

Formeln zum Suchen von Intrinsisches Abstandsverhältnis in Siliziumgesteuerter Gleichrichter

fxIntrinsisches Abstandsverhältnis für UJT-basierte Thyristor-Zündschaltungge

Siliziumgesteuerter Gleichrichter-Formeln, die Intrinsisches Abstandsverhältnis verwenden

fxZeitraum für UJT als Oszillator-Thyristor-Zündkreisge

fxFrequenz des UJT als Oszillator-Thyristor-Zündkreisge

fxZündwinkel des UJT als Oszillator-Thyristorzündkreisge

Liste der Variablen in Siliziumgesteuerter Gleichrichter-Formeln

fx Emitter-Widerstandsbasis 1 ge

fx Emitter-Widerstandsbasis 2 ge

FAQ

Was ist der Intrinsisches Abstandsverhältnis?

Das intrinsische Abstandsverhältnis UJT als Oszillator ist definiert als das Verhältnis des Widerstands von Emitter-Basis 1 zu den Gesamtwiderständen der Emitter-Basis-Übergänge.

Kann Intrinsisches Abstandsverhältnis negativ sein?

{YesorNo}, der in {OutputVariableMeasurementName} gemessene Intrinsisches Abstandsverhältnis kann {CanorCannot} negativ sein.

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