Intrinsische Konzentration in VLSI-Herstellung Formeln

Unter intrinsischer Konzentration versteht man die Konzentration von Ladungsträgern (Elektronen und Löcher) in einem intrinsischen Halbleiter im thermischen Gleichgewicht. Und wird durch N_i gekennzeichnet. Intrinsische Konzentration wird normalerweise mit 1 pro Kubikzentimeter für Trägerkonzentration gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Intrinsische Konzentration immer positiv ist.

VLSI-Herstellung-Formeln, die Intrinsische Konzentration verwenden

fxOberflächenpotentialge

fxAnschluss integrierte Spannung VLSIge

fxPotenzial zwischen Quelle und Körperge

FAQ

Was ist der Intrinsische Konzentration?

Unter intrinsischer Konzentration versteht man die Konzentration von Ladungsträgern (Elektronen und Löcher) in einem intrinsischen Halbleiter im thermischen Gleichgewicht. Intrinsische Konzentration wird normalerweise mit 1 pro Kubikzentimeter für Trägerkonzentration gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Intrinsische Konzentration immer positiv ist.

Kann Intrinsische Konzentration negativ sein?

NEIN, der in Trägerkonzentration gemessene Intrinsische Konzentration kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Intrinsische Konzentration verwendet?

Intrinsische Konzentration wird normalerweise mit 1 pro Kubikzentimeter[1/cm³] für Trägerkonzentration gemessen. 1 pro Kubikmeter[1/cm³], pro Liter[1/cm³] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Intrinsische Konzentration gemessen werden kann.

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