Intrinsische Elektronenkonzentration in CMOS-Design und Anwendungen Formeln

Die intrinsische Elektronenkonzentration ist definiert als die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband in intrinsischem Material. Und wird durch n_i gekennzeichnet.

CMOS-Design und Anwendungen-Formeln, die Intrinsische Elektronenkonzentration verwenden

fxEingebautes Potenzialge

fxThermische Spannung von CMOSge

FAQ

Was ist der Intrinsische Elektronenkonzentration?

Die intrinsische Elektronenkonzentration ist definiert als die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband in intrinsischem Material.

Kann Intrinsische Elektronenkonzentration negativ sein?

{YesorNo}, der in {OutputVariableMeasurementName} gemessene Intrinsische Elektronenkonzentration kann {CanorCannot} negativ sein.

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