Gemeinsame Emitterstromverstärkung in MOSFET-Verstärker Formeln

Die gemeinsame Emitterstromverstärkung wird stark von zwei Faktoren beeinflusst: der Breite des Basisbereichs W und der relativen Dotierung des Basisbereichs und des Emitterbereichs. Und wird durch β gekennzeichnet.

MOSFET-Verstärker-Formeln, die Gemeinsame Emitterstromverstärkung verwenden

fxDifferenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärkerge

FAQ

Was ist der Gemeinsame Emitterstromverstärkung?

Die gemeinsame Emitterstromverstärkung wird stark von zwei Faktoren beeinflusst: der Breite des Basisbereichs W und der relativen Dotierung des Basisbereichs und des Emitterbereichs.

Kann Gemeinsame Emitterstromverstärkung negativ sein?

{YesorNo}, der in {OutputVariableMeasurementName} gemessene Gemeinsame Emitterstromverstärkung kann {CanorCannot} negativ sein.

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