Gemeinsame Emitterstromverstärkung in BJT Formeln

Die gemeinsame Emitterstromverstärkung wird durch zwei Faktoren beeinflusst: Breite des Basisbereichs W und relative Dotierungen des Basisbereichs und des Emitterbereichs. Seine Reichweite variiert von 50-200. Und wird durch β gekennzeichnet.

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fxStromverstärkung in Emitterschaltung unter Verwendung der Stromverstärkung in Basisschaltungge

BJT-Formeln, die Gemeinsame Emitterstromverstärkung verwenden

fxBasisstrom 1 von BJTge

fxBasisstrom 2 von BJTge

fxBasisstrom unter Verwendung des Sättigungsstroms in DCge

fxReferenzstrom des BJT-Spiegels bei gegebenem Kollektorstromge

fxBasisstrom des PNP-Transistors mit Kollektorstromge

fxBasisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstromsge

fxBasisstrom des PNP-Transistors bei gegebenem Emitterstromge

fxReferenzstrom des BJT-Spiegelsge

fxKollektorstrom mit Leckstromge

fxEmitterstrom unter Verwendung der gemeinsamen Emitterstromverstärkungge

fxEmitterstrom mit Kollektorstrom und Stromverstärkungge

fxGleichtakt-Eingangswiderstand der BJT-Halbschaltungge

fxGesamtspannungsverstärkung des Pufferverstärkers bei gegebenem Lastwiderstandge

fxBasisstromverstärkungge

fxKleinsignal-Eingangswiderstand zwischen Basis und Emitter unter Verwendung von Transkonduktanzge

Liste der Variablen in BJT-Formeln

fx Basisstromverstärkung ge

Gemeinsame Emitterstromverstärkung in BJT Formeln

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BJT-Formeln, die Gemeinsame Emitterstromverstärkung verwenden

Liste der Variablen in BJT-Formeln

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