Gate-Source-Spannung in MOSFET Formeln

Die Gate-Source-Spannung ist die Spannung, die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines MOSFET angelegt wird. Und wird durch V_GS gekennzeichnet. Gate-Source-Spannung wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Gate-Source-Spannung immer Negativ ist.

MOSFET-Formeln, die Gate-Source-Spannung verwenden

fxDrainstrom fließt durch den MOS-Transistorge

fxZiehen Sie den Strom im linearen Bereich herunterge

fxZiehen Sie den Strom in den Sättigungsbereichge

FAQ

Was ist der Gate-Source-Spannung?

Die Gate-Source-Spannung ist die Spannung, die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines MOSFET angelegt wird. Gate-Source-Spannung wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Gate-Source-Spannung immer Negativ ist.

Kann Gate-Source-Spannung negativ sein?

Ja, der in Elektrisches Potenzial gemessene Gate-Source-Spannung kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Gate-Source-Spannung verwendet?

Gate-Source-Spannung wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Gate-Source-Spannung gemessen werden kann.

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