Gate-Source-Kapazität in VLSI-Herstellung Formeln

Die Gate-Source-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Source des MOSFET-Übergangs beobachtet wird. Und wird durch C_gs gekennzeichnet. Gate-Source-Kapazität wird normalerweise mit Mikrofarad für Kapazität gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Gate-Source-Kapazität immer positiv ist.

Formeln zum Suchen von Gate-Source-Kapazität in VLSI-Herstellung

fxGate-Source-Kapazitätge

VLSI-Herstellung-Formeln, die Gate-Source-Kapazität verwenden

fxGate-zu-Basis-Kapazitätge

fxGate-to-Drain-Kapazitätge

Liste der Variablen in VLSI-Herstellung-Formeln

fx Gate-Kapazität ge

fx Gate-zu-Basis-Kapazität ge

fx Gate-to-Drain-Kapazität ge

FAQ

Was ist der Gate-Source-Kapazität?

Die Gate-Source-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Source des MOSFET-Übergangs beobachtet wird. Gate-Source-Kapazität wird normalerweise mit Mikrofarad für Kapazität gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Gate-Source-Kapazität immer positiv ist.

Kann Gate-Source-Kapazität negativ sein?

NEIN, der in Kapazität gemessene Gate-Source-Kapazität kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Gate-Source-Kapazität verwendet?

Gate-Source-Kapazität wird normalerweise mit Mikrofarad[μF] für Kapazität gemessen. Farad[μF], Kilofarad[μF], Millifarad[μF] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Gate-Source-Kapazität gemessen werden kann.

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