Gate-Source-Kapazität in Hochfrequenzverstärker Formeln

Die Gate-Source-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen dem Gate und der Source des MOSFET-Übergangs beobachtet wird. Und wird durch C_gs gekennzeichnet. Gate-Source-Kapazität wird normalerweise mit Mikrofarad für Kapazität gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Gate-Source-Kapazität immer positiv ist.

Formeln zum Suchen von Gate-Source-Kapazität in Hochfrequenzverstärker

fxGate-Source-Kapazität des Source Followersge

Hochfrequenzverstärker-Formeln, die Gate-Source-Kapazität verwenden

fxLeerlaufzeitkonstante im Hochfrequenzgang des CG-Verstärkersge

fxQuellendegenerierte Zeitkonstante des CS-Verstärkersge

fxÜbergangsfrequenz der Source-Follower-Übertragungsfunktionge

fxKonstante 2 der Sourcefolger-Übertragungsfunktionge

fxTranskonduktanz des Source-Followersge

Liste der Variablen in Hochfrequenzverstärker-Formeln

fx Transkonduktanz ge

fx Übergangsfrequenz ge

FAQ

Was ist der Gate-Source-Kapazität?

Die Gate-Source-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen dem Gate und der Source des MOSFET-Übergangs beobachtet wird. Gate-Source-Kapazität wird normalerweise mit Mikrofarad für Kapazität gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Gate-Source-Kapazität immer positiv ist.

Kann Gate-Source-Kapazität negativ sein?

NEIN, der in Kapazität gemessene Gate-Source-Kapazität kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Gate-Source-Kapazität verwendet?

Gate-Source-Kapazität wird normalerweise mit Mikrofarad[μF] für Kapazität gemessen. Farad[μF], Kilofarad[μF], Millifarad[μF] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Gate-Source-Kapazität gemessen werden kann.

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