Gate-Source-Kapazität FET in Fortschrittliche Transistorgeräte Formeln

Die Gate-Source-Kapazität des FET ist die Kapazität zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines FET. Und wird durch C_gs(fet) gekennzeichnet. Gate-Source-Kapazität FET wird normalerweise mit Farad für Kapazität gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Gate-Source-Kapazität FET immer positiv ist.

Formeln zum Suchen von Gate-Source-Kapazität FET in Fortschrittliche Transistorgeräte

fxGate-Source-Kapazität des FETge

Liste der Variablen in Fortschrittliche Transistorgeräte-Formeln

fx Gate-Source-Kapazität Ausschaltzeit FET ge

fx Drain-Source-Spannung FET ge

fx Oberflächenpotential-FET ge

FAQ

Was ist der Gate-Source-Kapazität FET?

Die Gate-Source-Kapazität des FET ist die Kapazität zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines FET. Gate-Source-Kapazität FET wird normalerweise mit Farad für Kapazität gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Gate-Source-Kapazität FET immer positiv ist.

Kann Gate-Source-Kapazität FET negativ sein?

NEIN, der in Kapazität gemessene Gate-Source-Kapazität FET kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Gate-Source-Kapazität FET verwendet?

Gate-Source-Kapazität FET wird normalerweise mit Farad[F] für Kapazität gemessen. Kilofarad[F], Millifarad[F], Mikrofarad[F] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Gate-Source-Kapazität FET gemessen werden kann.

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