Die Gate-Oxiddicke ist definiert als die Dicke der Isolierschicht (Oxid), die die Gate-Elektrode vom Halbleitersubstrat in einem MOSFET trennt. Und wird durch tox gekennzeichnet. Gate-Oxiddicke wird normalerweise mit Nanometer für Länge gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Gate-Oxiddicke immer positiv ist.