Gate-Drain-Kapazität in MOSFET Formeln

Die Gate-Drain-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Drain-Elektroden eines Feldeffekttransistors (FET) besteht. Und wird durch C_gd gekennzeichnet. Gate-Drain-Kapazität wird normalerweise mit Mikrofarad für Kapazität gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Gate-Drain-Kapazität immer positiv ist.

MOSFET-Formeln, die Gate-Drain-Kapazität verwenden

fxPositive Spannung bei gegebenem Geräteparameter im MOSFETge

fxSpannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstromge

fxÜbergangsfrequenz des MOSFETge

fxMiller-Kapazität von Mosfetge

fxAusgangs-Miller-Kapazitäts-MOSFETge

FAQ

Was ist der Gate-Drain-Kapazität?

Die Gate-Drain-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Drain-Elektroden eines Feldeffekttransistors (FET) besteht. Gate-Drain-Kapazität wird normalerweise mit Mikrofarad für Kapazität gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Gate-Drain-Kapazität immer positiv ist.

Kann Gate-Drain-Kapazität negativ sein?

NEIN, der in Kapazität gemessene Gate-Drain-Kapazität kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Gate-Drain-Kapazität verwendet?

Gate-Drain-Kapazität wird normalerweise mit Mikrofarad[μF] für Kapazität gemessen. Farad[μF], Kilofarad[μF], Millifarad[μF] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Gate-Drain-Kapazität gemessen werden kann.

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