Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss in VLSI-Herstellung Formeln

Die Verarmungstiefe des Pn-Übergangs mit Drain ist definiert als die Ausdehnung des Verarmungsbereichs in das Halbleitermaterial in der Nähe des Drain-Anschlusses. Und wird durch x_dD gekennzeichnet. Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss wird normalerweise mit Mikrometer für Länge gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss immer positiv ist.

Formeln zum Suchen von Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss in VLSI-Herstellung

fxPN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSIge

VLSI-Herstellung-Formeln, die Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss verwenden

fxKurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSIge

Liste der Variablen in VLSI-Herstellung-Formeln

fx Akzeptorkonzentration ge

fx Eingebaute Anschlussspannung ge

fx Drain-to-Source-Potenzial ge

FAQ

Was ist der Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss?

Die Verarmungstiefe des Pn-Übergangs mit Drain ist definiert als die Ausdehnung des Verarmungsbereichs in das Halbleitermaterial in der Nähe des Drain-Anschlusses. Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss wird normalerweise mit Mikrometer für Länge gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss immer positiv ist.

Kann Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss negativ sein?

NEIN, der in Länge gemessene Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss verwendet?

Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss wird normalerweise mit Mikrometer[μm] für Länge gemessen. Meter[μm], Millimeter[μm], Kilometer[μm] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Erschöpfungstiefe des Pn-Übergangs mit Abfluss gemessen werden kann.

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