Emitterbasis-Verbindungsbereich in Integrierte Schaltkreise (IC) Formeln

Der Emitter-Basis-Übergangsbereich ist ein PN-Übergang, der zwischen dem stark dotierten P-Typ-Material (Emitter) und dem schwach dotierten N-Typ-Material (Basis) des Transistors gebildet wird. Und wird durch A gekennzeichnet. Emitterbasis-Verbindungsbereich wird normalerweise mit Quadratischer Zentimeter für Bereich gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Emitterbasis-Verbindungsbereich immer positiv ist.

Integrierte Schaltkreise (IC)-Formeln, die Emitterbasis-Verbindungsbereich verwenden

fxSättigungsstrom im Transistorge

fxVerunreinigungsatome pro Flächeneinheitge

fxKollektorstrom des PNP-Transistorsge

FAQ

Was ist der Emitterbasis-Verbindungsbereich?

Der Emitter-Basis-Übergangsbereich ist ein PN-Übergang, der zwischen dem stark dotierten P-Typ-Material (Emitter) und dem schwach dotierten N-Typ-Material (Basis) des Transistors gebildet wird. Emitterbasis-Verbindungsbereich wird normalerweise mit Quadratischer Zentimeter für Bereich gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Emitterbasis-Verbindungsbereich immer positiv ist.

Kann Emitterbasis-Verbindungsbereich negativ sein?

NEIN, der in Bereich gemessene Emitterbasis-Verbindungsbereich kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Emitterbasis-Verbindungsbereich verwendet?

Emitterbasis-Verbindungsbereich wird normalerweise mit Quadratischer Zentimeter[cm²] für Bereich gemessen. Quadratmeter[cm²], Quadratkilometer[cm²], Quadratmillimeter[cm²] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Emitterbasis-Verbindungsbereich gemessen werden kann.

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