Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen in Verstärker Formeln

Das eingebaute Potenzial von Seitenwandübergängen bezieht sich auf den Übergang, der entlang der vertikalen oder Seitenwandoberflächen der Transistorstruktur gebildet wird. Und wird durch Φ_osw gekennzeichnet. Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen immer positiv ist.

Verstärker-Formeln, die Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen verwenden

fxSeitenwandübergangskapazität ohne Vorspannungge

FAQ

Was ist der Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen?

Das eingebaute Potenzial von Seitenwandübergängen bezieht sich auf den Übergang, der entlang der vertikalen oder Seitenwandoberflächen der Transistorstruktur gebildet wird. Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen immer positiv ist.

Kann Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen negativ sein?

NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen verwendet?

Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen gemessen werden kann.

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