Driftstromdichte aufgrund von Löchern in Integrierte Schaltkreise (IC) Formeln

Unter Driftstromdichte durch Löcher versteht man die Bewegung von Ladungsträgern (Löchern) in einem Halbleitermaterial unter dem Einfluss eines elektrischen Felds. Und wird durch J_p gekennzeichnet. Driftstromdichte aufgrund von Löchern wird normalerweise mit Ampere pro Quadratmillimeter für Oberflächenstromdichte gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Driftstromdichte aufgrund von Löchern immer positiv ist.

Formeln zum Suchen von Driftstromdichte aufgrund von Löchern in Integrierte Schaltkreise (IC)

fxDriftstromdichte aufgrund von Löchernge

Liste der Variablen in Integrierte Schaltkreise (IC)-Formeln

fx Lochkonzentration ge

fx Lochmobilität ge

fx Elektrische Feldstärke ge

FAQ

Was ist der Driftstromdichte aufgrund von Löchern?

Unter Driftstromdichte durch Löcher versteht man die Bewegung von Ladungsträgern (Löchern) in einem Halbleitermaterial unter dem Einfluss eines elektrischen Felds. Driftstromdichte aufgrund von Löchern wird normalerweise mit Ampere pro Quadratmillimeter für Oberflächenstromdichte gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Driftstromdichte aufgrund von Löchern immer positiv ist.

Kann Driftstromdichte aufgrund von Löchern negativ sein?

NEIN, der in Oberflächenstromdichte gemessene Driftstromdichte aufgrund von Löchern kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Driftstromdichte aufgrund von Löchern verwendet?

Driftstromdichte aufgrund von Löchern wird normalerweise mit Ampere pro Quadratmillimeter[A/mm²] für Oberflächenstromdichte gemessen. Ampere pro Quadratmeter[A/mm²], Ampere pro Quadratzentimeter[A/mm²], Ampere pro Quadratzoll[A/mm²] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Driftstromdichte aufgrund von Löchern gemessen werden kann.

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