Drain- und Source-Sättigungsspannung in MOSFET Formeln

Die Drain- und Source-Sättigungsspannung ist die Spannung, bei der der FET nicht mehr als Verstärker arbeiten kann und seine Ausgangsspannung auf einen Maximalwert fixiert wird. Und wird durch V_ds(s) gekennzeichnet. Drain- und Source-Sättigungsspannung wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Drain- und Source-Sättigungsspannung immer positiv ist.

Formeln zum Suchen von Drain- und Source-Sättigungsspannung in MOSFET

fxSättigungsspannung des MOSFETge

Liste der Variablen in MOSFET-Formeln

fx Gate-Source-Spannung ge

fx Grenzspannung ge

FAQ

Was ist der Drain- und Source-Sättigungsspannung?

Die Drain- und Source-Sättigungsspannung ist die Spannung, bei der der FET nicht mehr als Verstärker arbeiten kann und seine Ausgangsspannung auf einen Maximalwert fixiert wird. Drain- und Source-Sättigungsspannung wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Drain- und Source-Sättigungsspannung immer positiv ist.

Kann Drain- und Source-Sättigungsspannung negativ sein?

NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Drain- und Source-Sättigungsspannung kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Drain- und Source-Sättigungsspannung verwendet?

Drain- und Source-Sättigungsspannung wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Drain- und Source-Sättigungsspannung gemessen werden kann.

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