Drain-Spannung Q1 in MOSFET Formeln

Die Drain-Spannung Q1 ist die Spannung, die am Drain-Anschluss eines Transistors Q1 in der Differenzschaltung abgenommen wird. Und wird durch v_o1 gekennzeichnet. Drain-Spannung Q1 wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Drain-Spannung Q1 immer Negativ ist.

Formeln zum Suchen von Drain-Spannung Q1 in MOSFET

fxAusgangsspannung am Drain Q1 des MOSFETge

fxAusgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET bei Gleichtaktsignalge

fxGleichtaktsignal des MOSFET bei gegebener Ausgangsspannung an Drain Q2ge

Liste der Variablen in MOSFET-Formeln

fx Ausgangswiderstand ge

fx Gesamtstrom ge

fx Steilheit ge

fx Gleichtakt-Eingangssignal ge

fx Abflusswiderstand ge

FAQ

Was ist der Drain-Spannung Q1?

Die Drain-Spannung Q1 ist die Spannung, die am Drain-Anschluss eines Transistors Q1 in der Differenzschaltung abgenommen wird. Drain-Spannung Q1 wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Drain-Spannung Q1 immer Negativ ist.

Kann Drain-Spannung Q1 negativ sein?

Ja, der in Elektrisches Potenzial gemessene Drain-Spannung Q1 kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Drain-Spannung Q1 verwendet?

Drain-Spannung Q1 wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Drain-Spannung Q1 gemessen werden kann.

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