Drain-Source-Spannung in MOSFET Formeln

Drain-Source-Spannung ist ein elektrischer Begriff, der in der Elektronik und speziell in Feldeffekttransistoren verwendet wird. Es bezieht sich auf die Spannungsdifferenz zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen des FET. Und wird durch V_ds gekennzeichnet. Drain-Source-Spannung wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Drain-Source-Spannung immer Negativ ist.

MOSFET-Formeln, die Drain-Source-Spannung verwenden

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FAQ

Was ist der Drain-Source-Spannung?

Drain-Source-Spannung ist ein elektrischer Begriff, der in der Elektronik und speziell in Feldeffekttransistoren verwendet wird. Es bezieht sich auf die Spannungsdifferenz zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen des FET. Drain-Source-Spannung wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Drain-Source-Spannung immer Negativ ist.

Kann Drain-Source-Spannung negativ sein?

Ja, der in Elektrisches Potenzial gemessene Drain-Source-Spannung kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Drain-Source-Spannung verwendet?

Drain-Source-Spannung wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Drain-Source-Spannung gemessen werden kann.

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