Drain-Source-Sättigungsspannung in EDC Formeln

Die Drain-Source-Sättigungsspannung ist die Spannungsdifferenz zwischen Emitter- und Kollektoranschluss, die zum Einschalten eines MOSFET erforderlich ist. Und wird durch V_ds gekennzeichnet. Drain-Source-Sättigungsspannung wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Drain-Source-Sättigungsspannung immer positiv ist.

EDC-Formeln, die Drain-Source-Sättigungsspannung verwenden

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FAQ

Was ist der Drain-Source-Sättigungsspannung?

Die Drain-Source-Sättigungsspannung ist die Spannungsdifferenz zwischen Emitter- und Kollektoranschluss, die zum Einschalten eines MOSFET erforderlich ist. Drain-Source-Sättigungsspannung wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Drain-Source-Sättigungsspannung immer positiv ist.

Kann Drain-Source-Sättigungsspannung negativ sein?

NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Drain-Source-Sättigungsspannung kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Drain-Source-Sättigungsspannung verwendet?

Drain-Source-Sättigungsspannung wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Drain-Source-Sättigungsspannung gemessen werden kann.

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