Dotierungskonzentration des P-Substrats in MOSFET Formeln

Die Dotierungskonzentration des P-Substrats ist die Anzahl der dem Substrat hinzugefügten Verunreinigungen. Es handelt sich um die Gesamtkonzentration an Akzeptorionen. Und wird durch N_P gekennzeichnet. Dotierungskonzentration des P-Substrats wird normalerweise mit 1 pro Kubikzentimeter für Trägerkonzentration gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Dotierungskonzentration des P-Substrats immer Negativ ist.

MOSFET-Formeln, die Dotierungskonzentration des P-Substrats verwenden

fxHerstellungsprozessparameter von NMOSge

FAQ

Was ist der Dotierungskonzentration des P-Substrats?

Die Dotierungskonzentration des P-Substrats ist die Anzahl der dem Substrat hinzugefügten Verunreinigungen. Es handelt sich um die Gesamtkonzentration an Akzeptorionen. Dotierungskonzentration des P-Substrats wird normalerweise mit 1 pro Kubikzentimeter für Trägerkonzentration gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Dotierungskonzentration des P-Substrats immer Negativ ist.

Kann Dotierungskonzentration des P-Substrats negativ sein?

Ja, der in Trägerkonzentration gemessene Dotierungskonzentration des P-Substrats kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Dotierungskonzentration des P-Substrats verwendet?

Dotierungskonzentration des P-Substrats wird normalerweise mit 1 pro Kubikzentimeter[1/cm³] für Trägerkonzentration gemessen. 1 pro Kubikmeter[1/cm³], pro Liter[1/cm³] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Dotierungskonzentration des P-Substrats gemessen werden kann.

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