Die Dotierungsdichte ist ein Prozess, bei dem bestimmte Verunreinigungsatome wie Phosphor oder Bor in den Halbleiter eingebracht werden, um dessen elektrische Eigenschaften zu verändern. Und wird durch Nb gekennzeichnet. Dopingdichte wird normalerweise mit Elektronen pro Kubikmeter für Elektronendichte gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Dopingdichte immer positiv ist.