Basis-Emitter-Spannung in BJT Formeln

Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors. Und wird durch V_BE gekennzeichnet. Basis-Emitter-Spannung wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Basis-Emitter-Spannung immer Negativ ist.

BJT-Formeln, die Basis-Emitter-Spannung verwenden

fxBasisstrom 2 von BJTge

fxReferenzstrom des BJT-Stromspiegelsge

fxBasisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstromsge

fxKollektorstrom bei Sättigungsstrom aufgrund von Gleichspannungge

fxKollektorstrom gegeben Frühspannung für PNP-Transistorge

fxKollektorstrom mit Sättigungsstromge

fxKollektorstrom des PNP-Transistorsge

fxEmitterstrom unter Verwendung der gemeinsamen Emitterstromverstärkungge

fxEmitterstrom mit Transistorkonstantege

fxEmitterstrom bei Sättigungsstromge

fxKonzentration der vom Emitter zur Basis injizierten Elektronenge

fxGesamtverlustleistung in BJTge

fxKollektor-Emitter-Spannung bei Sättigungge

fxSpannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkersge

FAQ

Was ist der Basis-Emitter-Spannung?

Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors. Basis-Emitter-Spannung wird normalerweise mit Volt für Elektrisches Potenzial gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Basis-Emitter-Spannung immer Negativ ist.

Kann Basis-Emitter-Spannung negativ sein?

Ja, der in Elektrisches Potenzial gemessene Basis-Emitter-Spannung kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Basis-Emitter-Spannung verwendet?

Basis-Emitter-Spannung wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Basis-Emitter-Spannung gemessen werden kann.

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