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Integrierte Schaltkreise (IC)
Äquivalente Oxiddicke in Integrierte Schaltkreise (IC) Formeln
Die äquivalente Oxiddicke ist ein Maß, das in der Halbleitertechnologie zur Charakterisierung der Isoliereigenschaften eines Gate-Dielektrikums in einem Metalloxid-Halbleiter (MOS)-Gerät verwendet wird. Und wird durch EOT gekennzeichnet. Äquivalente Oxiddicke wird normalerweise mit Nanometer für Länge gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Äquivalente Oxiddicke immer positiv ist.
Formeln zum Suchen von Äquivalente Oxiddicke in Integrierte Schaltkreise (IC)
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Äquivalente Oxiddicke
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Liste der Variablen in Integrierte Schaltkreise (IC)-Formeln
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Materialstärke
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Dielektrizitätskonstante des Materials
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FAQ
Was ist der Äquivalente Oxiddicke?
Die äquivalente Oxiddicke ist ein Maß, das in der Halbleitertechnologie zur Charakterisierung der Isoliereigenschaften eines Gate-Dielektrikums in einem Metalloxid-Halbleiter (MOS)-Gerät verwendet wird. Äquivalente Oxiddicke wird normalerweise mit Nanometer für Länge gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von Äquivalente Oxiddicke immer positiv ist.
Kann Äquivalente Oxiddicke negativ sein?
NEIN, der in Länge gemessene Äquivalente Oxiddicke kann kann nicht negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Äquivalente Oxiddicke verwendet?
Äquivalente Oxiddicke wird normalerweise mit Nanometer[nm] für Länge gemessen. Meter[nm], Millimeter[nm], Kilometer[nm] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Äquivalente Oxiddicke gemessen werden kann.
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